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　　华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（“华润上华”）近日宣布其第三代超高压700v bcd系列工艺开放代工平台开发成功。该工艺平台自华润上华第二代硅基700v bcd工艺基础上自主开发而来。通过工艺技术的持续改进，该工艺不仅控制电路部分的设计规则比第二代硅基700v bcd工艺缩小15%，其最核心的700v dmos器件特征导通电阻也已达到国际上领先的19 ohm.mm2，且700v dmos器件的esd 和uis 等关键性能比前一代工艺有大幅度提升，可用于制造更高功率的led 照明驱动芯片和ac-dc 电源转换芯片。

　　华润上华于2007年在国内独家推出第一代硅基700v cdmos工艺，率先实现了低压cmos控制电路与700v 功率dmos的单片集成，拥有国际先进水平。华润上华利用此技术与客户合作开发的电源转换芯片，在国内小家电市场占有最大市占率，该产品还获得江苏省科技进步一等奖和国家技术发明二等奖。基于在超高压工艺领域长期积累的卓越研发能力和量产能力，华润上华又于2010年在国内首家推出第二代硅基700v bcd工艺，在led 照明驱动、ac-dc电源转换等应用方面与多家客户合作成功，在2011年底实现规模量产。此次第三代超高压700v bcd系列工艺开发成功，更进一步提升了华润上华的在bcd工艺平台领域的核心竞争力。

　　华润上华的bcd工艺平台电压涵盖1.8v到700v，线宽从1μm延伸至0.18μm，可满足高电压、高精度、高密度不同应用的全方位需求。未来，华润上华将持续加大在超高压bcd工艺方面的投入，正在开发中的下一代工艺将采用soi技术，引入trench及埋氧层隔离技术，可进一步满足桥式驱动电路以及单片式集成小功率ipm模块等绿色电源ic方面的需求。